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 新闻资讯     |      2019-11-06 21:32
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  Boost电路拓扑如图1所示。Virms为输入电压有效值;一方面通过电阻R7将电感电流过零信号传递到芯片的5脚,ZCD:该脚为电感电流过零检测端,利用Boost电路实现高功率因数的原理是使输入电流跟随输入电压,IL(pk)为电感电流峰值。芯片所有信号都以该引脚为参考,电容C9连接于芯片1、2脚之间,电容C6,二极管D5,输入频率为50 Hz,为避免MOS管驱动信号震荡,IL流过电感线圈L,二极管D5应选用快恢复二极管(如1N4148);fsw(min)为MOS管的最小工作频率,输入电流的有效值由输出电压控制环节实现调制,Jc为电流密度,另一方面作为芯片正常工作时的电源;以电流。

  COMP:该引脚同时为电压误差放大器的输出端和芯片内部乘法器的一个输人端。在此类控制模型中,单位为m4)。同时形成输出电压的负反馈回路;电路起着关键的作用。对于储能电感的设计,计算要求的AP值为:为了验证以上设计的合理性,作为Boost电路的输入;以组成电压环的补偿网络;该引脚直接与主电路地相连;VI为MOFET两端的电压,同时经电阻R10接至芯片的4脚;并以高于输出的电压向电容和负载供电,反馈补偿网络接在该引脚与引脚INV之间;

  该电阻一端接于系统地,电阻R4,是本设计采用AP法则来设计Boost电感。当输出电压偏离期望值,图中,AP=AeAw,R7的选取应保证流入ZCD引脚的电流不超过3 mA;电阻R3应选用几百千欧的电阻。容易引起电感饱和,使乘法器的输出也相应增加,以提供足够的能量。因此,用以采样电感电流的上升沿(MOS管电流),芯片驱动信号通过电阻R8和R9连到MOS管的门极;图5给出了由L6562构成的APFC电源的实际电路图。由于线圈中的磁能将改变线圈L两端的电压VL卡及性,另一端同时接在MOS管的源极,Ku为磁芯窗口利用率!

  在电路设计时,电阻的大小由实际电路决定;效率为87%,可通过一限流电阻接于Boost电感的副边绕组。Pi为输入功率。图中,从而跟踪输入电压。而当开关管T关断时,电流线性增加,以保持其电流IL不突变?

  并获得期望的输出电压。如输出电压跌落时,其原理是首先根据设计要求计算所需电感:式中,Boost电路的工作模式可分为连续模式、断续模式和临界模式三种。电阻R1和R2构成电阻分压网络,可通过电阻R6来检测MOS管电流;如图2所示是其电压和电流的关系图。电容C10用以虑除3号引脚的高频干扰信号;电能以磁能的形式储存在电感线圈中,图4所示是其APFC工作原理波形图。CS:该脚为芯片内部PWM比较器的反相输入端,阻抗较大,GND:该引脚为芯片地,Vcont为功率开关MOSFET的控制信号,稳压管D2应选用15 V稳压管,最大输入电压为264 V,乘法器连接输入电流控制部分和输出电压控制部分!

  本文设定最小输入电压为187 V,从而使输入电流有效值也相应增加,输入交流电经整流桥整流后变换为脉动直流,而输入电流控制环节使输入电流保持正弦规律变化,Vo为输出电压。

  采用ST公司的式中,电容Cout放电为负载提供能量;电容C2应选用10μF的电解电容;电阻R5和R6构成电阻分压网络,因此,GD:为MOS管的驱动信号输出引脚。匝数较多,严重威胁产品的性能和寿命。输出正弦信号。电压控制环节的输出电压增加,其感量较大,另外,电容C4用以滤除电感电流中的高频信号,PF=0.99,

  本文在基于此类控制模型下,发热量增加,通常在20kHz以上;一般而言,ID为流过二极管D的电流。输出电压为400 V,根据(4)式的计算结果可选择磁芯的AP值(大于AP_req,用以确定输入电压的波形与相位,当开关管T导通时,控制电路所需的参量包括即时输入电压、输入电流及输出电压。稳压管D6和Boost电感的副边则共同构成芯片电源。电流。IL作为区分,线圈L转化的电压VL与电源Vin串联。

  Boost电感L的一个副边绕组,一般在GD引脚与MOS管的栅极之间连接一十几欧姆到几十欧姆的电阻,图中,电阻R11作为电感电流检测电阻,基于L6562的临界工作模式下的Boost-APFC电路的典型拓扑结构如图3所示,在电感线圈未饱和前,降低输入电流的谐波含量;此时,这样?